对比图
型号 STF23NM60ND STF25NM60ND STF28N60DM2
描述 STMICROELECTRONICS STF23NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STF25NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STF28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 中高压MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.15 Ω 0.13 Ω 0.13 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 35 W 40 W 30 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - 600 V -
连续漏极电流(Ids) 19.5A 21A -
上升时间 19 ns 30 ns 7.3 ns
输入电容(Ciss) 2050pF @50V(Vds) 2400pF @50V(Vds) 1500pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 35 W 40 W -
下降时间 42 ns 40 ns 9.3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 35W (Tc) 40W (Tc) 30W (Tc)
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 16.4 mm 16.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -