STP8N80K5

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STP8N80K5概述

N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N CH 800V 6A TO220


立创商城:
N沟道 800V 6A


欧时:
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 Si N沟道 MOSFET STP8N80K5, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.8 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The STP8N80K5 power MOSFET from STMicroelectronics provides the solution. Its maximum power dissipation is 110000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device utilizes supermesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
N-Channel 800 V 0.95 Ohm Flange Mount SuperMESH™5 Power Mosfet - TO-220-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


STP8N80K5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.8 Ω

极性 N-CH

耗散功率 110 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 6A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 450pF @100VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP8N80K5
型号: STP8N80K5
描述:N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STP8N80K5
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ST Microelectronics 意法半导体

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