对比图
型号 STD8N80K5 STP8N80K5 STU8N80K5
描述 N 通道 MDmesh™ K5 系列，SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ K5 系列，SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ K5 系列，SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-251-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 950 mΩ 0.8 Ω -
极性 - N-CH -
耗散功率 110 W 110 W 110 W
阈值电压 4 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V -
连续漏极电流(Ids) - 6A -
上升时间 14 ns 14 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 450pF @100V(Vds) 450pF @100V(Vds) 450pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 110 W -
下降时间 20 ns 20 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
通道数 1 - -
漏源击穿电压 800 V - -
正向电压(Max) - - 1.5 V
长度 6.6 mm 10.4 mm 6.6 mm
宽度 6.2 mm 4.6 mm 2.4 mm
高度 2.4 mm 15.75 mm 6.2 mm
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -