














N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 25V 80A DPAK
欧时:
STMicroelectronics STripFET V 系列 Si N沟道 MOSFET STD95N2LH5, 80 A, Vds=25 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
贸泽:
MOSFET N-channel 25V 25V - 0.0037
艾睿:
Use STMicroelectronics&s; STD95N2LH5 power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 70000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 80A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 25V 80A DPAK
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
输入电容 1817 pF
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 1817pF @25VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STD95N2LH5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD100NH02LT4 意法半导体 | 类似代替 | STD95N2LH5和STD100NH02LT4的区别 |
STD150NH02LT4 意法半导体 | 类似代替 | STD95N2LH5和STD150NH02LT4的区别 |
STD95NH02LT4 意法半导体 | 类似代替 | STD95N2LH5和STD95NH02LT4的区别 |