STB18N60DM2

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STB18N60DM2概述

N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics

MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。

高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性

符合 AEC-Q101

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK


欧时:
### N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET


e络盟:
晶体管, MOSFET, Mdmesh DM2, N沟道, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; D2PAK


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STB18N60DM2  MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-263


STB18N60DM2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.26 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 800pF @100VVds

下降时间 32.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 9.35 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STB18N60DM2
型号: STB18N60DM2
描述:N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。 高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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