








N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics
MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。
高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性
符合 AEC-Q101
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
欧时:
### N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, Mdmesh DM2, N沟道, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; D2PAK
Newark:
# STMICROELECTRONICS STB18N60DM2 MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-263
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.26 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 90 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 800pF @100VVds
下降时间 32.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 9.35 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17