N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
得捷:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF32N65M5, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this STF32N65M5 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 35000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with mdmesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
力源芯城:
650V,95mΩ,24A,N沟道Mdmesh功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 24A TO-220FP
极性 N-CH
耗散功率 35W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 24A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 3320pF @100VVds
额定功率Max 35 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 35W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 16.4 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STF32N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STF34N65M5 意法半导体 | 类似代替 | STF32N65M5和STF34N65M5的区别 |