对比图
描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - 1
耗散功率 35W (Tc) 35 W
输入电容 - 2700 pF
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V
输入电容(Ciss) 3320pF @100V(Vds) 2590pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 35 W 30 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 35W (Tc) 35W (Tc)
极性 N-CH -
连续漏极电流(Ids) 24A -
上升时间 12 ns -
下降时间 16 ns -
长度 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm
高度 16.4 mm 16.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free