STD8N80K5

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STD8N80K5概述

N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N CH 800V 6A DPAK


立创商城:
N沟道 800V 6A


欧时:
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 Si N沟道 MOSFET STD8N80K5, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A MDmesh K5


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.8 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin DPAK T/R


富昌:
TO 252 DPAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 110W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**N-CH 800V 760mOhm 6A TO252 **


DeviceMart:
MOSFET N CH 800V 6A DPAK


STD8N80K5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 950 mΩ

耗散功率 110 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 450pF @100VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STD8N80K5
型号: STD8N80K5
描述:N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STD8N80K5
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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