STF3NK100Z

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STF3NK100Z概述

STMICROELECTRONICS  STF3NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1 kV, 5.4 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STF3NK100Z, 2.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220FP封装


立创商城:
N沟道 1kV 2.5A


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO-220FP


贸泽:
MOSFET N Ch 24V 120A Zener SuperMESH


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晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1 kV, 5.4 ohm, 10 V, 3.75 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


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Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STF3NK100Z  Power MOSFET, N Channel, 2.5 A, 1 kV, 5.4 ohm, 10 V, 3.75 V


Win Source:
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO-220FP


STF3NK100Z中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 5.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 1000 V

漏源击穿电压 1000 V

连续漏极电流Ids 2.5A

上升时间 7.5 ns

输入电容Ciss 601pF @25VVds

额定功率Max 25 W

下降时间 32 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: STF3NK100Z
描述:STMICROELECTRONICS  STF3NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1 kV, 5.4 ohm, 10 V, 3.75 V

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