N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics
STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。
欧时:
### N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
立创商城:
STD13N65M2
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 650 V, 0.37 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the STD13N65M2 power MOSFET, developed by STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 110000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes mdmesh m2 technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
针脚数 3
漏源极电阻 0.37 Ω
耗散功率 110 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 7.8 ns
输入电容Ciss 590pF @100VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free