STD4NK80Z-1

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STD4NK80Z-1概述

N沟道800V - 3ohm - 3A TO- 220 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-CHANNEL 800V - 3ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

N-Channel 800V 3A Tc 80W Tc Through Hole I-PAK


得捷:
MOSFET N-CH 800V 3A IPAK


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N沟道 800V 3A


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Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


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Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


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Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


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MOSFET N-CH 800V 3A IPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 3A IPAK


STD4NK80Z-1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 80 W

漏源极电压Vds 800 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 575pF @25VVds

额定功率Max 80 W

下降时间 32 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 80W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STD4NK80Z-1
型号: STD4NK80Z-1
描述:N沟道800V - 3ohm - 3A TO- 220 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-CHANNEL 800V - 3ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
替代型号STD4NK80Z-1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STD4NK80Z-1

ST Microelectronics 意法半导体

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STD4NK80ZT4

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完全替代

STD4NK80Z-1和STD4NK80ZT4的区别

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