STD4NK80Z-1和STD4NK80ZT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD4NK80Z-1 STD4NK80ZT4

描述 N沟道800V - 3ohm - 3A TO- 220 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-CHANNEL 800V - 3ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-251-3 TO-252-3

耗散功率 80 W 80 W

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V

上升时间 12 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 575pF @25V(Vds) 575pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 80 W 80 W

下降时间 32 ns 32 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 80W (Tc) 80W (Tc)

额定电压(DC) - 800 V

额定电流 - 3.00 A

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 3 Ω

极性 - N-Channel

阈值电压 - 3.75 V

漏源击穿电压 - 800 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) - 1.50 A

正向电压(Max) - 1.6 V

封装 TO-251-3 TO-252-3

长度 - 6.6 mm

宽度 - 6.2 mm

高度 - 2.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99

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