STL18N60M2

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STL18N60M2概述

Power N-CH 600V 9A

N-Channel 600V 9A Tc 57W Tc Surface Mount PowerFlat™ 5x6 HV


得捷:
MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this STL18N60M2 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 57000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with mdmesh ii plus technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 4-Pin PowerFLAT T/R


富昌:
N-沟道 600 V 0.308 Ω 57 W Mdmesh II Plus 功率 Mosfet - PowerFLAT 5X6 HV


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 8-Pin Power Flat EP T/R


STL18N60M2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 57 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 9A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 791pF @100VVds

下降时间 10.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 57W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerFlat-4

外形尺寸

封装 PowerFlat-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STL18N60M2
型号: STL18N60M2
描述:Power N-CH 600V 9A

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