STI20N65M5

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STI20N65M5概述

650V,0.16Ω,18A,N沟道功率MOSFET

Create an effective common drain amplifier using this power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 130000 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes mdmesh technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

STI20N65M5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.19 Ω

耗散功率 130 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 7.5 ns

输入电容Ciss 1434pF @100VVds

下降时间 7.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 130W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STI20N65M5
型号: STI20N65M5
描述:650V,0.16Ω,18A,N沟道功率MOSFET
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