STS10N3LH5参数规格_中文资料_数据手册PDF

STS10N3LH5概述

N沟道30 V ， 0.019 I© ， 10 A ， SO - 8 STripFETâ ?? ¢ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.019 Î©, 10 A, SO-8 STripFETâ¢ V Power MOSFET

表面贴装型 N 通道 30 V 10A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOIC

得捷:
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R

DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

STS10N3LH5中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2500 mW

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 475pF @25VVds

下降时间 2.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STS10N3LH5

型号： STS10N3LH5

描述：N沟道30 V ， 0.019 I© ， 10 A ， SO - 8 STripFETâ ?? ¢ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.019 Î©, 10 A, SO-8 STripFETâ¢ V Power MOSFET

替代型号STS10N3LH5

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STS10N3LH5 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
STS5N15F3 意法半导体	类似代替	STS10N3LH5和STS5N15F3的区别
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