对比图
型号 STS10N3LH5 STS5N15F3 STS19N3LLH6
描述 N沟道30 V ， 0.019 I© ， 10 A ， SO - 8 STripFETâ ?? ¢ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.019 Ω, 10 A, SO-8 STripFET⢠V Power MOSFETSO N-CH 150V 5ASO N-CH 30V 19A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
引脚数 8 8 -
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 4.9 mΩ
极性 - N-Channel N-CH
耗散功率 2500 mW 2.5 W 2.7W (Ta)
漏源极电压(Vds) 30 V 150 V 30 V
漏源击穿电压 - - 30 V
连续漏极电流(Ids) - 5A 19A
输入电容(Ciss) 475pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc) 2.7W (Ta)
上升时间 22 ns 13 ns -
下降时间 2.8 ns 20 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
额定功率(Max) - 2.5 W -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free