N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
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得捷:
MOSFET N-CH 550V 33A TO220
立创商城:
STP36N55M5
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### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 550 V, 0.06 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 550V 33A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 33A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 550V 33A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 550V 33A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
力源芯城:
550V,33A,单N沟道功率MOSFET
针脚数 3
漏源极电阻 0.06 Ω
极性 N-CH
耗散功率 190 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 550 V
连续漏极电流Ids 33A
输入电容Ciss 2670pF @100VVds
额定功率Max 190 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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