STP36N55M5

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STP36N55M5概述

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

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得捷:
MOSFET N-CH 550V 33A TO220


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### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 550 V, 0.06 ohm, 10 V, 4 V


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Trans MOSFET N-CH 550V 33A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


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550V,33A,单N沟道功率MOSFET


STP36N55M5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.06 Ω

极性 N-CH

耗散功率 190 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 550 V

连续漏极电流Ids 33A

输入电容Ciss 2670pF @100VVds

额定功率Max 190 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

STP36N55M5引脚图与封装图
STP36N55M5引脚图
STP36N55M5封装图
STP36N55M5封装焊盘图
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型号: STP36N55M5
描述:N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STP36N55M5
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STP36N55M5

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

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TK31E60W

东芝

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STP36N55M5和TK31E60W的区别

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