STP36N55M5和TK31N60W

对比图

型号 STP36N55M5 TK31N60W TK31E60W

描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsPower MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V)TO-220 N-CH 600V 30.8A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)

分类 MOS管

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-220-3 - TO-220-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.06 Ω - -

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 190 W - -

阈值电压 4 V - -

漏源极电压(Vds) 550 V - 600 V

连续漏极电流(Ids) 33A - 30.8A

输入电容(Ciss) 2670pF @100V(Vds) - 3000pF @300V(Vds)

额定功率(Max) 190 W - 230 W

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 190W (Tc) - -

长度 10.4 mm - -

宽度 4.6 mm - -

高度 15.75 mm - -

封装 TO-220-3 - TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

香港进出口证 - NLR -