STU60N3LH5

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STU60N3LH5概述

STMICROELECTRONICS  STU60N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V

N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 30V 48A IPAK


欧时:
### N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 48 A, 0.0076 ohm, TO-251AA, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


富昌:
N-Channel 30 V 8.4 mΩ 8.8 nC Through Hole STripFET™ V Power Mosfet - IPAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STU60N3LH5  MOSFET Transistor, N Channel, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 48A IPAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 48A IPAK


STU60N3LH5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0076 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 24.0 A

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 1620pF @25VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 4.2 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.9 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STU60N3LH5
型号: STU60N3LH5
描述:STMICROELECTRONICS  STU60N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V
替代型号STU60N3LH5
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ST Microelectronics 意法半导体

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AP1203GMA

富鼎先进电子

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