










STMICROELECTRONICS STU60N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V
N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 30V 48A IPAK
欧时:
### N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 48 A, 0.0076 ohm, TO-251AA, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
富昌:
N-Channel 30 V 8.4 mΩ 8.8 nC Through Hole STripFET™ V Power Mosfet - IPAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STU60N3LH5 MOSFET Transistor, N Channel, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 48A IPAK
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 48A IPAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.0076 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 60 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 24.0 A
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 1620pF @25VVds
额定功率Max 60 W
下降时间 4.2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.6 mm
宽度 2.4 mm
高度 6.9 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STU60N3LH5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
AP1203GMA 富鼎先进电子 | 功能相似 | STU60N3LH5和AP1203GMA的区别 |