STP5N62K3

STP5N62K3图片1
STP5N62K3图片2
STP5N62K3图片3
STP5N62K3图片4
STP5N62K3图片5
STP5N62K3图片6
STP5N62K3图片7
STP5N62K3图片8
STP5N62K3图片9
STP5N62K3图片10
STP5N62K3图片11
STP5N62K3图片12
STP5N62K3图片13
STP5N62K3图片14
STP5N62K3概述

STMICROELECTRONICS  STP5N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 620 V, 1.28 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220AB


立创商城:
STP5N62K3 停产


欧时:
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 Si N沟道 MOSFET STP5N62K3, 4.2 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220封装


e络盟:
# STMICROELECTRONICS  STP5N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 620 V, 1.28 ohm, 10 V, 3.75 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 620V 4.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


富昌:
STP5N62K3 系列 N 沟道 620 V 1.6 Ohm SuperMesh3 功率 Mosfet - TO-220-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 620V 4.2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 620V 4.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


力源芯城:
620V,1.28Ω,4.2A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220AB


STP5N62K3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.28 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 620 V

连续漏极电流Ids 4.2A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 680pF @50VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STP5N62K3
型号: STP5N62K3
描述:STMICROELECTRONICS  STP5N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 620 V, 1.28 ohm, 10 V, 3.75 V
替代型号STP5N62K3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STP5N62K3

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STU5N62K3

意法半导体

完全替代

STP5N62K3和STU5N62K3的区别

FQP8N60C

飞兆/仙童

功能相似

STP5N62K3和FQP8N60C的区别

IRFBC40PBF

威世

功能相似

STP5N62K3和IRFBC40PBF的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台