STMICROELECTRONICS STP5N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 620 V, 1.28 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220AB
立创商城:
STP5N62K3 停产
欧时:
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 Si N沟道 MOSFET STP5N62K3, 4.2 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220封装
e络盟:
# STMICROELECTRONICS STP5N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 620 V, 1.28 ohm, 10 V, 3.75 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 620V 4.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
富昌:
STP5N62K3 系列 N 沟道 620 V 1.6 Ohm SuperMesh3 功率 Mosfet - TO-220-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 620V 4.2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 620V 4.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
力源芯城:
620V,1.28Ω,4.2A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220AB
针脚数 3
漏源极电阻 1.28 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 620 V
连续漏极电流Ids 4.2A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 680pF @50VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STP5N62K3 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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