对比图
型号 IRFBC40PBF STP5N62K3 STP6NK60Z
描述 功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STP5N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 620 V, 1.28 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STP6NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 6.20 A - 6.00 A
额定功率 125 W - 110 W
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 1.2 Ω 1.28 Ω 1.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 70 W 110 W
阈值电压 - 3.75 V 3.75 V
输入电容 - - 905 pF
漏源极电压(Vds) 600 V 620 V 600 V
漏源击穿电压 - - 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 6.20 A 4.2A 6.00 A
上升时间 18 ns 8 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 680pF @50V(Vds) 905pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 70 W 110 W
下降时间 20 ns 21 ns 19 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125 W 70W (Tc) 110000 mW
长度 10.41 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 9.01 mm 15.75 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 50 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99