STP180N55F3

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STP180N55F3概述

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP180N55F3, 120 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the STP180N55F3 power MOSFET, developed by STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 330000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 120A TO-220


STP180N55F3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.0032 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 330 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 150 ns

输入电容Ciss 6800pF @25VVds

额定功率Max 330 W

下降时间 50 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STP180N55F3
型号: STP180N55F3
描述:N 通道 STripFET™,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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