STFI10N62K3概述
N沟道620 V， 0.68 I© （典型值） ， 8.4 SuperMESH3â ?? ¢ N-channel 620 V, 0.68 Ω typ., 8.4 A SuperMESH3â¢
通孔 N 通道 620 V 8.4A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
得捷:
MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP
贸泽:
MOSFET N-Ch 620 V 0.68 Ohm 8.4 A SuperMESH3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 620V 8.4A 3-Pin3+Tab I2PAKFP Tube
DeviceMart:
MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP
Win Source:
MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP
STFI10N62K3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 680 mΩ
耗散功率 30 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 620 V
漏源击穿电压 620 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1250pF @50VVds
额定功率Max 30 W
下降时间 31 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买STFI10N62K3
型号： STFI10N62K3
描述：N沟道620 V， 0.68 I© （典型值） ， 8.4 SuperMESH3â ?? ¢ N-channel 620 V, 0.68 Ω typ., 8.4 A SuperMESH3â¢