STL7N10F7

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STL7N10F7概述

Power N-CH 100V 7A

N-Channel 100V 2.9W Ta, 50W Tc Surface Mount PowerFlat™ 3.3x3.3


得捷:
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT


艾睿:
Thanks to STMicroelectronics, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the STL7N10F7 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 50000 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with stripfet vii technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin PowerFLAT T/R


富昌:
N-沟道 100 V 7 A 35 mΩ STripFET VII DeepGATE 功率 Mosfet-PowerFLAT 3.3 x 3.3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin Power Flat EP T/R


儒卓力:
**N-CH 100V 7A 35mOhm PFLAT3x3 **


STL7N10F7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 50 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 7A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 920pF @50VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 4.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.9W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 3X3-8

外形尺寸

封装 3X3-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STL7N10F7
型号: STL7N10F7
描述:Power N-CH 100V 7A

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