STD15N60M2-EP

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STD15N60M2-EP概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 4 V

N-Channel 600V 11A Tc 110W Tc Surface Mount DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this STD15N60M2-EP power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 110000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with mdmesh m2 technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


STD15N60M2-EP中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.34 Ω

极性 N-CH

耗散功率 110 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 590pF @100VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买STD15N60M2-EP
型号: STD15N60M2-EP
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 4 V

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