STS8DN 系列 双通道 30 V 10 A 19 mOhm 功率 Mosfet - SOIC-8
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 10A 2.7W 表面贴装型 8-SO
得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
贸泽:
MOSFET Dual N-Ch 30V 10A STripFET V Pwr
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R
DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 30V 10A SO8
Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
极性 N-CH
耗散功率 2.7 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 4.2 ns
输入电容Ciss 724pF @25VVds
额定功率Max 2.7 W
下降时间 3.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2700 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STS8DN3LLH5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STS10DN3LH5 意法半导体 | 类似代替 | STS8DN3LLH5和STS10DN3LH5的区别 |