STMICROELECTRONICS STB11NM80T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 800 V, 0.35 ohm, 4 V, 4 V
N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
欧时:
### N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 800 V, 0.35 ohm, 4 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
STB11NM80T4 系列 N 沟道 800 V 35 mOhm 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
儒卓力:
**N-CH 800V 11A 400mOhm TO263-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
额定电压DC 800 V
额定电流 11.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.35 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 44.0 A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 1630pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.75 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STB11NM80T4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB11NM80 意法半导体 | 功能相似 | STB11NM80T4和STB11NM80的区别 |