STB11NM80T4

STB11NM80T4图片1
STB11NM80T4图片2
STB11NM80T4图片3
STB11NM80T4图片4
STB11NM80T4图片5
STB11NM80T4图片6
STB11NM80T4图片7
STB11NM80T4图片8
STB11NM80T4图片9
STB11NM80T4图片10
STB11NM80T4图片11
STB11NM80T4图片12
STB11NM80T4图片13
STB11NM80T4图片14
STB11NM80T4概述

STMICROELECTRONICS  STB11NM80T4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 800 V, 0.35 ohm, 4 V, 4 V

N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK


欧时:
### N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 800 V, 0.35 ohm, 4 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
STB11NM80T4 系列 N 沟道 800 V 35 mOhm 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 800V 11A 400mOhm TO263-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK


STB11NM80T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 11.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.35 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 44.0 A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 1630pF @25VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.75 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STB11NM80T4
型号: STB11NM80T4
描述:STMICROELECTRONICS  STB11NM80T4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 800 V, 0.35 ohm, 4 V, 4 V
替代型号STB11NM80T4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STB11NM80T4

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STB11NM80

意法半导体

功能相似

STB11NM80T4和STB11NM80的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台