对比图
描述 N沟道800 V - 0.35ヘ - 11 A - TO- 220 / FP- D2PAK - TO- 247 MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 800 V - 0.35 ヘ - 11 A - TO-220/FP- D2PAK - TO-247 MDmesh⑩ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STB11NM80T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 800 V, 0.35 ohm, 4 V, 4 V
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 D2PAK TO-263-3
额定电压(DC) - 800 V
额定电流 - 11.0 A
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.35 Ω
极性 - N-Channel
耗散功率 - 150 W
阈值电压 - 4 V
漏源极电压(Vds) - 800 V
漏源击穿电压 - 800 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) - 44.0 A
上升时间 - 17 ns
输入电容(Ciss) - 1630pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 150 W
下降时间 - 15 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 150W (Tc)
长度 - 10.75 mm
宽度 - 10.4 mm
高度 - 4.6 mm
封装 D2PAK TO-263-3
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99