STMICROELECTRONICS STH180N10F3-6 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2 V
N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
欧时:
STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STH180N10F3-6, 180 A, Vds=100 V, 8引脚 H2PAK-6封装
e络盟:
# STMICROELECTRONICS STH180N10F3-6 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin6+Tab H2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin6+Tab H2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin6+Tab H2PAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK
针脚数 8
漏源极电阻 0.0039 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 315 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 97.1 ns
输入电容Ciss 6665pF @25VVds
额定功率Max 315 W
下降时间 6.9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 315W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TO-263-7
长度 15.25 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.8 mm
封装 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17