STGDL6NC60DIT4

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STGDL6NC60DIT4概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 50000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R

IGBT - 600 V 13 A 50 W 表面贴装型 DPAK


得捷:
IGBT 600V 13A 50W DPAK


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


DeviceMart:
IGBT N-CH 6A 600V DPAK


STGDL6NC60DIT4中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 50000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 23 ns

额定功率Max 50 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGDL6NC60DIT4
型号: STGDL6NC60DIT4
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 50000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R
替代型号STGDL6NC60DIT4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STGDL6NC60DIT4

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

IRG4RC10SDTRPBF

国际整流器

功能相似

STGDL6NC60DIT4和IRG4RC10SDTRPBF的区别

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