对比图
型号 IRG4RC10SDTRPBF STGDL6NC60DIT4 STGD6NC60HDT4
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 600V 13A 50000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTGD6NC60HD 系列 N沟道 600 V 7 A 极快 PowerMESH IGBT - TO-252-3
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
耗散功率 38 W 50000 mW 56 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
反向恢复时间 - 23 ns 21 ns
额定功率(Max) - 50 W 56 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 50000 mW 56000 mW
极性 N-Channel - -
产品系列 IRG4RC10SD - -
上升时间 32.0 ns - -
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 15.0 A
针脚数 - - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm - -
高度 1.24 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - EAR99 EAR99