STW45N65M5

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

欧时:
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

得捷:
MOSFET N-CH 650V 35A TO247

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晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 650 V, 0.067 ohm, 10 V, 4 V

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Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO247-3

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**N-CH 650V 35A 78mOhm TO247-3 **

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650V,0.067Ω,35A,N沟道功率MOSFET

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MOSF N CH 650V 35A TO247

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MOSFET N-CH 650V 35A TO247