对比图
型号 STP42N65M5 STW45N65M5 IPP60R099CPA
描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.07 Ω 0.067 Ω 99 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 190 W 210 W 255 W
阈值电压 4 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 33A 35A 31A
输入电容(Ciss) 4650pF @100V(Vds) 3375pF @100V(Vds) 2800pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 190 W 208 W 255 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 190W (Tc) 210W (Tc) -
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 600 V
上升时间 24 ns - 5 ns
下降时间 13 ns - 5 ns
长度 10.4 mm 15.75 mm 10 mm
宽度 4.6 mm 5.15 mm 4.4 mm
高度 9.15 mm 20.15 mm 15.65 mm
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -