STF12NK60Z

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STF12NK60Z概述

N沟道600V - 0.53欧姆 - 10A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护SuperMESH⑩MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.53 Ohm - 10A TO-220 / TO-220FP Zener-Protected SuperMESH⑩MOSFET

N-Channel 600V 10A Tc 35W Tc Through Hole TO-220FP


立创商城:
STF12NK60Z


得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this STF12NK60Z power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 35000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


富昌:
STF12NK60Z系列 N沟道 650 V 0.64 Ohm SuperMESH™ 功率MOSFET - TO-220FP


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP


STF12NK60Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 10.0 A

漏源极电阻 640 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 35W Tc

输入电容 1.74 nF

栅电荷 59.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 650 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 18.5 ns

输入电容Ciss 1740pF @25VVds

额定功率Max 35 W

下降时间 31.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买STF12NK60Z
型号: STF12NK60Z
描述:N沟道600V - 0.53欧姆 - 10A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护SuperMESH⑩MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.53 Ohm - 10A TO-220 / TO-220FP Zener-Protected SuperMESH⑩MOSFET
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