STP9NM40N参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP9NM40N概述

TO-220AB N-CH 400V 5.6A

N-Channel 400V 5.6A Tc 60W Tc Through Hole TO-220

得捷:
MOSFET N-CH 400V 5.6A TO220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 400V 5.6A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

STP9NM40N中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 60W Tc

漏源极电压Vds 400 V

连续漏极电流Ids 5.6A

输入电容Ciss 365pF @50VVds

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买STP9NM40N

型号： STP9NM40N

描述：TO-220AB N-CH 400V 5.6A

替代型号STP9NM40N

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STP9NM40N ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
STP8NM50N 意法半导体	功能相似	STP9NM40N和STP8NM50N的区别
STU8NM50N 意法半导体	功能相似	STP9NM40N和STU8NM50N的区别

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