STP9NM40N和STU8NM50N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP9NM40N STU8NM50N STP8NM50N

描述 TO-220AB N-CH 400V 5.6AN 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STP8NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 0.73 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 60W (Tc) 45 W 45 W

漏源极电压(Vds) 400 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 5.6A - 5A

输入电容(Ciss) 365pF @50V(Vds) 364pF @50V(Vds) 364pF @50V(Vds)

耗散功率(Max) 60W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 0.73 Ω 0.73 Ω

阈值电压 - 3 V 3 V

上升时间 - 4.4 ns 4.4 ns

额定功率(Max) - - 45 W

下降时间 - 8.8 ns 9 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220-3

长度 - 6.6 mm 10.4 mm

宽度 - 2.4 mm 4.6 mm

高度 - 6.9 mm 16.4 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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