N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
### MOSFET ，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 650V PWRFLAT HV
欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STL38N65M5, 22 A, Vds=650 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
艾睿:
Use STMicroelectronics&s; STL38N65M5 power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 2800 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with mdmesh technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 22.5A 4-Pin PowerFlat T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 4-Pin Power Flat T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 4-Pin Power Flat T/R
通道数 1
耗散功率 2.8 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 3000pF @100VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 PowerFlat-4
长度 8 mm
宽度 8 mm
高度 0.95 mm
封装 PowerFlat-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free