STH140N6F7-2

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STH140N6F7-2概述

N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronicsSTMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻,内部电容和栅极电荷降低,以便更快、更高效地切换。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻,内部电容和栅极电荷降低,以便更快、更高效地切换。


得捷:
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2


欧时:
STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STH140N6F7-2, 80 A, Vds=60 V, 2引脚 H2PAK封装


贸泽:
MOSFET N-channel 60 V, 0.0028 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin H2PAK T/R


富昌:
STH140N6F7 系列 60 V 0.0032 Ohm N-沟道 STripFET™ F7 功率 MOSFET - H²PAK-2


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 60V 80A 3,2mOhm H2PAK-2 **


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2 / N-Channel 60 V 80A Tc 158W Tc Surface Mount H2Pak-2


STH140N6F7-2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 158 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 68 ns

输入电容Ciss 2700pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 158W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 10.57 mm

高度 4.8 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STH140N6F7-2
型号: STH140N6F7-2
描述:N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronics STMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻,内部电容和栅极电荷降低,以便更快、更高效地切换。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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