




N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronicsSTMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻,内部电容和栅极电荷降低,以便更快、更高效地切换。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronics
STMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻,内部电容和栅极电荷降低,以便更快、更高效地切换。
得捷:
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
欧时:
STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STH140N6F7-2, 80 A, Vds=60 V, 2引脚 H2PAK封装
贸泽:
MOSFET N-channel 60 V, 0.0028 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin H2PAK T/R
富昌:
STH140N6F7 系列 60 V 0.0032 Ohm N-沟道 STripFET™ F7 功率 MOSFET - H²PAK-2
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R
儒卓力:
**N-CH 60V 80A 3,2mOhm H2PAK-2 **
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2 / N-Channel 60 V 80A Tc 158W Tc Surface Mount H2Pak-2
耗散功率 158 W
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 68 ns
输入电容Ciss 2700pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 158W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 10.57 mm
高度 4.8 mm
封装 TO-263-3
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99