SSM6L09FUTE85LF参数规格_中文资料_数据手册PDF

SSM6L09FUTE85LF概述

Mosfet n/p-Ch 30V 0.4A/0.2A Us6

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 400mA，200mA 300mW 表面贴装型 US6

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6

Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6

SSM6L09FUTE85LF中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 20pF @5VVds

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SSM6L09FUTE85LF

型号： SSM6L09FUTE85LF

描述：Mosfet n/p-Ch 30V 0.4A/0.2A Us6

替代型号SSM6L09FUTE85LF

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SSM6L09FUTE85LF Toshiba 东芝	当前型号	当前型号
FDG8842CZ 飞兆/仙童	功能相似	SSM6L09FUTE85LF和FDG8842CZ的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SSM6L09FUTE85LF

Toshiba 东芝

当前型号

FDG8842CZ

飞兆/仙童

功能相似