对比图
型号 FDG8842CZ SSM6L09FUTE85LF SI1539CDL-T1-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG8842CZ 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 750 mA, 30 V, 0.25 ohm, 4.5 V, 1 VMosfet n/p-Ch 30V 0.4A/0.2A Us6SI1539CDL-T1-GE3 编带
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Toshiba (东芝) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管RF模块、IC及配件
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 - 6
封装 SC-70-6 TSSOP-6 SC-70-6
针脚数 6 - 6
漏源极电阻 0.25 Ω - 0.323 Ω
极性 N-Channel, P-Channel - N-Channel, P-Channel
耗散功率 360 mW - 0.29 W
阈值电压 1 V - 1.2 V
漏源极电压(Vds) 30V, 25V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 750 mA - 700mA
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 360 mW - 340 mW
输入电容(Ciss) 120pF @10V(Vds) 20pF @5V(Vds) -
额定功率(Max) 300 mW 300 mW -
封装 SC-70-6 TSSOP-6 SC-70-6
长度 2 mm - -
宽度 1.25 mm - -
高度 1 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 3000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -