SDT08S60参数规格_中文资料_数据手册PDF

SDT08S60概述

碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode

Diode Silicon Carbide Schottky 600V 8A DC Through Hole PG-TO220-2-2

得捷:
DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220-2

SDT08S60中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 8.00 A

输出电流 ≤8.00 A

正向电压 1.7V @8A

极性 Standard

热阻 2.3℃/W RθJC

反向恢复时间 0 ns

正向电压Max 1.7V @8A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-2

外形尺寸

封装 TO-220-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： SDT08S60

制造商： Infineon 英飞凌

描述：碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode

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替代型号SDT08S60

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