IDH08S60C和SDT08S60

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDH08S60C SDT08S60 IDH04S60C

描述 INFINEON  IDH08S60C  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 2G 600V系列, 单, 600 V, 8 A, 19 nC, TO-220碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode2ndGeneration的thinQ ! TM SiC肖特基二极管 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 - 2

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

额定功率 75 W - 42 W

负载电流 8 A - 4 A

正向电压 - 1.7V @8A 1.7 V

耗散功率 - - 42 W

正向电流 8 A - 4 A

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

反向恢复时间 0 ns 0 ns -

正向电压(Max) 1.7V @8A 1.7V @8A -

工作结温(Max) 175 ℃ - -

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 8.00 A -

输出电流 - ≤8.00 A -

极性 - Standard -

热阻 - 2.3℃/W (RθJC) -

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ 55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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