




INFINEON SPA11N65C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-FP
立创商城:
N沟道 650V 11A
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N65C3XKSA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 33W; PG-TO220-3-FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Newark:
# INFINEON SPA11N65C3XKSA1 Power MOSFET, N Channel, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
额定电压DC 650 V
额定电流 11.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.34 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 33 W
阈值电压 3 V
输入电容 1.20 nF
栅电荷 60.0 nC
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
额定功率Max 33 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 33W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPA11N65C3XKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPA65R380C6XKSA1 英飞凌 | 类似代替 | SPA11N65C3XKSA1和IPA65R380C6XKSA1的区别 |
SIHF12N60E-E3 威世 | 功能相似 | SPA11N65C3XKSA1和SIHF12N60E-E3的区别 |