IPA65R380C6XKSA1和SPA11N65C3XKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPA65R380C6XKSA1 SPA11N65C3XKSA1 IPA65R380E6XKSA1

描述 PG-TO220 整包INFINEON  SPA11N65C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  IPA65R380E6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管中高压MOS管中高压MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 31 W - 31 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.34 Ω 0.34 Ω 0.34 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 31 W 33 W 31 W

阈值电压 3 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 10.6A 11.0 A 10.6A

上升时间 12 ns 5 ns 7 ns

输入电容(Ciss) 710pF @100V(Vds) 1200pF @25V(Vds) 710pF @100V(Vds)

下降时间 11 ns 5 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 31W (Tc) 33W (Tc) 31 W

额定电压(DC) - 650 V -

额定电流 - 11.0 A -

输入电容 - 1.20 nF -

栅电荷 - 60.0 nC -

额定功率(Max) - 33 W -

长度 10.65 mm 10.65 mm 10.65 mm

宽度 4.85 mm 4.85 mm 4.85 mm

高度 16.15 mm 16.15 mm 16.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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