单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N80C3FKSA1, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装
得捷:
MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
立创商城:
N沟道 800V 11A
贸泽:
MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
e络盟:
# INFINEON SPW11N80C3FKSA1 功率场效应管, MOSFET, 通用, N沟道, 6 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
额定电压DC 800 V
额定电流 11.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.39 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 156 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1600pF @100VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 156 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17