SPB02N60C3

SPB02N60C3图片1
SPB02N60C3图片2
SPB02N60C3图片3
SPB02N60C3图片4
SPB02N60C3图片5
SPB02N60C3图片6
SPB02N60C3图片7
SPB02N60C3概述

酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS™ Power Transistor

N-Channel 600 V 1.8A Tc 25W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2


得捷:
N-CHANNEL POWER MOSFET


立创商城:
SPB02N60C3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin TO-263 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin2+Tab TO-263


Win Source:
Cool MOS Power Transistor


SPB02N60C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 1.80 A

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

输入电容 200 pF

栅电荷 12.5 nC

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 1.80 A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 200pF @25VVds

额定功率Max 25 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买SPB02N60C3
型号: SPB02N60C3
制造商: Infineon 英飞凌
描述:酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS™ Power Transistor
替代型号SPB02N60C3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SPB02N60C3

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

SPB02N60S5

英飞凌

功能相似

SPB02N60C3和SPB02N60S5的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司