SPN04N60S5概述
酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
N-Channel 600V 800mA Ta 1.8W Ta Surface Mount PG-SOT223-4
得捷:
MOSFET N-CH 600V 800MA SOT223-4
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 0.8A SOT-223
SPN04N60S5中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 650 V
额定电流 700 mA
极性 N-CH
耗散功率 1.8W Ta
输入电容 600 pF
栅电荷 17.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 700 mA
输入电容Ciss 600pF @25VVds
额定功率Max 1.8 W
耗散功率Max 1.8W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
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替代型号SPN04N60S5
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPN04N60S5 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPN04N60C2 英飞凌 | 功能相似 | SPN04N60S5和SPN04N60C2的区别 |