SPN04N60C2和SPN04N60S5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPN04N60C2 SPN04N60S5

描述 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-223 TO-261-4

极性 N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 0.8A 700 mA

额定电压(DC) - 650 V

额定电流 - 700 mA

耗散功率 - 1.8W (Ta)

输入电容 - 600 pF

栅电荷 - 17.0 nC

输入电容(Ciss) - 600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1.8 W

耗散功率(Max) - 1.8W (Ta)

封装 SOT-223 TO-261-4

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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