SPI16N50C3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 560 V
额定电流 16.0 A
极性 N-CH
耗散功率 160 W
输入电容 1.60 nF
栅电荷 66.0 nC
漏源极电压Vds 560 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
输入电容Ciss 1600pF @25VVds
额定功率Max 34 W
下降时间 8 ns
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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替代型号SPI16N50C3
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPI16N50C3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
STFI20NK50Z 意法半导体 | 功能相似 | SPI16N50C3和STFI20NK50Z的区别 |