SPI16N50C3和STFI20NK50Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPI16N50C3 STFI20NK50Z

描述 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power TransistorI2PAKFP N-CH 500V 17A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-262-3 TO-262-3

通道数 - 1

漏源极电阻 - 270 mΩ

极性 N-CH N-CH

耗散功率 160 W 40 W

漏源极电压(Vds) 560 V 500 V

漏源击穿电压 - 500 V

连续漏极电流(Ids) 16.0 A 17A

上升时间 - 20 ns

输入电容(Ciss) 1600pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds)

下降时间 8 ns 15 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 40W (Tc)

额定电压(DC) 560 V -

额定电流 16.0 A -

输入电容 1.60 nF -

栅电荷 66.0 nC -

额定功率(Max) 34 W -

封装 TO-262-3 TO-262-3

长度 10.2 mm -

宽度 4.5 mm -

高度 9.45 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free

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